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    高爐耐火磚多少錢一塊

    發(fā)布時間:2019/4/17 16:50:36 點擊率: 來源:艾米 作者:榮盛耐材

      想知道高爐耐火磚多少錢一塊,這就要看是多大的高爐具體是爐子哪個部位用的什么尺寸的什么材質的高爐耐火磚,因為整個高爐用的耐火磚是相當復雜的。下面先為大家全面剖析 高爐內部區(qū)域結構的組成。

      為了直接觀察研究高爐內部的結構和反應過程,20世紀30年代開始,人們對高爐進行了解剖研究。高爐解剖就是將處于正常生產(chǎn)狀態(tài)的高爐,按照預定的計劃,突然進行停風,而且快速降溫以保持高爐內部原狀,然后將高爐爐體進行解剖,并對高爐內部結構進行測繪、取樣分析、拍照錄像等調査研究工作。通過高爐解剖,對高爐冶煉過程爐料的形態(tài)性質變化,物理化學反應過程和動量、熱量、質量傳輸過程有了全面深入的了解。歷次高爐解剖的實踐研究驗證了高爐冶煉過程主要分為5個主要區(qū)域,在下降爐料與上升煤氣的相向運動中,熱量傳輸、鐵氧化物還原、軟化、熔化與造瘡、碳的燃燒等反應均發(fā)生在這5個區(qū)間內。

      高爐冶煉過程的5個區(qū)域可區(qū)分如下:

      (1) 塊狀帶。

      塊狀帶是爐料軟熔前的區(qū)域,位于高爐料柱的上部,礦石和焦炭層逐漸變薄并趨于水平,在此區(qū)域內主要進行的是氧化物的熱分解和氣體還原劑的間接還原反應,爐料的預熱、水分的蒸發(fā)、碳酸鹽的分解也在此區(qū)間完成。

      (2) 軟熔帶。

      軟熔帶是爐料由軟化到熔融的區(qū)域,位于高爐中部區(qū)域。由許多固態(tài)焦炭層和黏結在一起的半熔融的礦石層組成,礦石與焦炭層次分明,仍呈分層狀態(tài)。由于礦石呈軟熔狀態(tài),透氣性變差,而焦炭層始終呈固態(tài),因此上升煤氣在穿透軟熔帶時,主要是從阻力低、透氣性良好的焦炭層中通過,因此軟熔帶中的焦炭層又被稱為“焦窗”。軟熔帶是高爐冶煉區(qū)別于其他非高爐煉鐵工藝(豎爐直接還原、熔融還原)的主要技術特征。軟熔帶的上沿是軟化線,下沿是熔化線,與礦石的軟化溫度和熔化溫度有關,溫度區(qū)間基本一致,軟熔帶的形狀又與上升煤氣的分布狀態(tài)有關,是下降爐料與上升煤氣熱量傳輸?shù)慕Y果。因此,軟熔帶的縱剖面結構有V形、W形和∧形,軟培帶高的部分稱為軟熔帶頂部,低的部分與爐壁相接稱為軟熔帶根部。礦石軟熔過程中,由于礦石之間的間隙和礦石的氣孔急劇減小,還原過程幾乎停滯,上升煤氣阻力驟然增加,是高爐冶煉過程阻力損失大的區(qū)域。軟熔帶在料柱中形成的位置、形狀以及徑向分布的相對高度、厚度對高爐冶煉過程具有重大影響,直接關系到料柱透氣性和高爐順行狀況。降低軟熔帶在高爐中的位置,擴大塊狀帶區(qū)域,可以充分發(fā)展間接還原,提高煤氣利用率,抑制直接還原,降低熱量消耗和燃料消耗,延長爐料壽命。

      (3) 滴落帶。

      滴落帶位于軟熔帶之下,完全熔化后的液態(tài)渣鐵呈液滴狀穿過固態(tài)焦炭層進入爐缸之前的區(qū)域。在此區(qū)域內,渣鐵在高爐煤氣加熱的作用下已經(jīng)完全熔化,而焦炭由于熔點很高(約3000℃)且尚未燃燒,仍呈固態(tài)存在。該區(qū)域料柱的結構特征是由焦炭構成的塔狀結構,其邊緣為下降較快的疏松區(qū)和更新較慢的中心區(qū)——死料柱,這是高爐料柱的又一重要特征。渣鐵液滴在穿透焦炭空隙下降的同時,繼續(xù)進行還原、滲碳等高溫物理化學反應和非鐵元素的還原反應。

      (4) 風口燃燒帶(也稱風口回旋區(qū))。

      風口燃燒帶是焦炭在風口前與高溫鼓風進行燃燒反應的區(qū)域。由滴落帶下降的焦炭在風口前燃燒,在鼓風動能的作用下,焦炭在劇烈的回旋運動中燃燒,形成一個“鳥巢”狀的回旋區(qū),回旋區(qū)內焦炭在高速鼓風的作用下呈回旋運動并燃燒,該區(qū)域是高爐內存在的氧化性區(qū)域。回旋區(qū)在高爐徑向達不到高爐中心,高爐中心仍存在焦炭堆積而形成的圓丘形焦炭死料柱,構成滴落帶的一部分,在死料柱內仍有一定數(shù)量的液態(tài)渣鐵與焦炭進行直接還原反應。風口回旋區(qū)內是焦炭的燃燒反應和爐缸煤氣的合成反應。

      (5) 渣鐵儲存區(qū)。

      渣鐵儲存區(qū)位于高爐爐缸下部,用于滴落帶滴落的液態(tài)揸鐵儲存的區(qū)域。該區(qū)域由液態(tài)渣鐵和浸浮在其中的死焦柱形成,鐵滴穿過熔渣層和渣一鐵界面完成脫硫和與硅氧化物的耦合反應,形成合格鐵水。

      一般按還原反應溫度將高爐內劃分為三個區(qū)間:不高于800℃為間接還原區(qū),不低于1100℃為直接還原區(qū),800~1100℃為直接還原和間接還原共存區(qū)間。


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